三星计划明年底在中国量产10纳米级闪存

　　韩国三星电子公司3月22日宣布，将于中国设立的NAND型闪存新工厂将使用电路线宽为10纳米级别的技术实施量产。10纳米级技术是韩国工厂即将于今年上半年投入使用的最尖端技术，同时三星还正在强化将中国作为重要零件产地的体制。新工厂计划在陕西省西安市建设。新工厂将在年内开工建设，在明年底投入量产。

　　三星于去年12月向韩国政府提出了在中国建设NAND型闪存工厂的申请，并于今年1月获得批准。虽然此前透露的消息是“将使用20纳米级别以下的技术”，但三星认为中国作为苹果“iPhone”手机等数码产品组装基地的重要性日渐增强，有必要采用更尖端的技术进行高效生产。

　　缩小电路线宽后，利用一片硅晶圆制造出的半导体数量将随之增加，从而提高生产效率。三星除了将于今年上半年开始使用10纳米级技术在韩国进行量产之外，还计划将该技术运用于中国工厂，其目的是通过此举巩固全球份额冠军的宝座。