新浪财经

中国南车建国内最大IGBT产业基地 总投资14亿元

2011年05月25日 15:51 来源:财经网

  【财经网 专稿】 记者 冯青 5月25日,记者从中国南车(601766.SH;01766.HK)获悉,公司承建的国内最大规模IGBT产业化基地在湖南奠基。该产业基地总投资为14亿元,预计2014年正式投产。

  中国南车新闻发言人向记者透露:“目前国际上主流的IGBT芯片生产线为6英寸,公司产业化基地承建的是我国首条8英寸IGBT芯片生产线。该项目由公司下属的湖南株洲所实施。项目在2014年投产后,年产值将超过25亿元。”

  IGBT全称为新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管。中国南车IGBT产业化基地占地为160亩。基地投产后,将具备年产12万片8英寸IGBT芯片,以及100万只大功率IGBT器件的能力。由此,中国南车将成为国内掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—系统应用完整产业链的企业。

  中国南车IGBT产业化基地除建设一条8英寸IGBT芯片生产线外,还将建设9条IGBT模块生产线。主要应用于轨道交通、电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网等多个产业。

  “十一五”期间,中国南车在国内启动了“高压IGBT元件研制”,先后获得国家多项科研经费支持。2009年,公司在株洲所建立了国内第一条小批量大功率IGBT模块封装线。2010年,公司在海外成立了功率半导体研发中心,负责承担电力电子器件中长期战略项目和重大项目的技术跟踪、研究和开发。

  (证券市场周刊供稿)

  

分享到:
网友评论
登录名: 密码: 快速注册新用户