Intel与Micron推出NAND闪存技术新基准
http://msn.finance.sina.com.cn 2011-12-06 11:15 来源: PRNEWS.cn中国商业电讯
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采用Intel和Micron合资的IM闪存技术 (IMFT) 公司开发的新款20纳米、 128Gb单片器件是业界第一只能存储1兆兆位(TB)数据的器件，在其仅仅指尖大小的空间内封装了8片裸片。新款20纳米、128Gb MLC NAND器件的存储容量和性能是该两家公司现有20纳米、 64Gb NAND器件的二倍。该 128Gb器件满足高速ONFI 3.0规范的要求，可达到333兆/秒(MT/s)的传输率，为客户提供一个更具成本效益的超薄，流线造型优美产品设计，例如平板电脑、智能手机和大容量固态硬盘(SSD)等。
“由于便携式设备体积变得越来越小、造型越来越优美，和服务器要求也越来越高，我们的客户希望Micron的创新存储技术和系统解决方案能应对这些挑战”，Micron公司NAND解决方案子公司副总裁Glen Hawk说。“我们与Intel的合作将继续提供领先的NAND技术和专业知识，它们对建造这些系统是十分重要的”。
这两家公司还透露：它们在20纳米制程技术上取得成功的关键是由于采用了一种创新的单元结构，其比传统结构能容纳更大规模的单元。它们的20纳米NAND器件采用一种平面式单元结构--这在本行业是首次采用--以克服与先进制程技术伴随而来的内在困难，这使得其性能和可靠性与与上一代产品媲美。由于在NAND产品上集成了第一Hi-K/金属栅栈，这种平面式单元结构成功地突破了标准NAND浮动栅的比例瓶颈。
“非常高兴地看到因为我们的生产团队提供这些高容量、低成本、具有计算机质量的20纳米 NAND器件，Intel-Micron联合体继续在NAND技术上处于领先地位并获得多项第一”，Intel公司副总裁兼非挥发存储器解决方案子公司总经理Rob Crooke说。“由于平面式单元结构和Hi-K/金属栅栈的使用，IMFT可继续提高我们NAND闪存解决方案的技术能力，能促进新产品、新服务和新封装类型的发展“。
大容量NAND闪存器件的需求受到三个相互关联的市场趋势的刺激：数据存储的增长、向云计算的转移、以及便携式设备的普及。因为数字内容不断地增加，用户期望数据可在众多设备之间存取，并且全部都能通过云计算机进行同步。为了有效地处理数据流，服务器需要存储NAND提供的高品质、大容量数据。随着数据存取的增长，移动设备的存储也不断地增长。高清晰度视频是需要大容量存储应用的例子之一，因为试图处理这类数据流可能给用户较差的体验。这些发展为高性能、小存储占用空间的器件提供了巨大的机会，无论是在使用这些内容的移动设备还是在提供这些存储的服务器中均是如此。
Intel和 Micron特别指出：它们的20纳米 64Gb NAND闪存产品在12月份的批量生产在2012年能迅速过渡到128Gb器件上。128Gb 器件的样品可在一月份提供，在2012年上半年就能形成批量生产。该里程碑式的成就将进一步形成更密集和更佳的总体产量，并且能帮助该两公司的研发团队积累设计更复杂存储解决方案和优化未来技术的经验。
关于 Micron
Micron Technology, Inc.是全球领先的先进半导体解决方案供应商之一。通过它遍布全球的运营，美光为先进的计算、用户、网络、嵌入式和移动产品生产和销售全套DRAM、 NAND 和 NOR闪存，以及其他创新的存储器技术、封装方案和半导体系统。美光的普通股在纳斯达克上市交易，代码是MU。欲了解有关美光科技公司的更多信息，请访问 www.micron.com 。
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关于 Intel
Intel (纳斯达克股票代码: INTC)公司是全球计算机创新界首屈一指的公司。该公司设计和创建的技术为全球计算机设备重要的基础。欲了解关于Intel公司更多的信息，请访问：newsroom.intel.com 或 blogs.intel.com。
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©2011年Micron Technology, Inc.公司和Intel Corporation公司版权所有。修改信息无需通知。Micron和Micron徽标是Micron Technology, Inc.商标。本新闻稿包含有关20纳米、64Gb和128Gb NAND器件生产的前瞻性陈述。实际情况或结果可能与前瞻性声明中包含的内容不同。请参考Micron和证券交易委员会定期发布的汇总文件，特别是Micron最新的10-K和10-Q表。这些文件包含并确定可能导致汇总文件中的内容与前瞻性陈述不同的重要因素（见“某些因素）。尽管我们认为前瞻性陈述中所反映的预期是合理的，但我们不能保证其未来结果、活动水平、性能或成就。
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