作者:何苗

　　日前，记者从三星电子得知，从本月起，三星电子将在全球率先量产采用“ToggleDDR2.0”标准的20纳米级（1纳米：十亿分之一米）超高速MLCNANDFlash，今后NANDFlash全线产品将采用“ToggleDDR2.0”。

　　据悉，ToggleDDR2.0NANDFlash具有高性能、大容量的特点，能够实现400Mbps数据处理速度，比通用NANDFlash快10倍。有分析认为，ToggleDDR2.0NANDFlash的推出有望扩大4G智能手机、平板电脑、SSD等高速NAND市场，通过应用新一代规格，ToggleDDR2.0或将主导整个NANDFlash市场的高速发展。

　　据推测，智能手机、SSD、存储卡等的生产厂商将从今年下半年开始推出各种基于64Gb高速NANDFlash的高性能、大容量产品，受此影响高速NANDFlash的市场比重有望大幅增长。记者获知，目前20纳米级64GbMLCNANDFlash不仅生产效率上比去年4月全球率先量产的20纳米级32GbMLCNANDFlash提高了50%以上，而且成本竞争力也比30纳米级32GbMLCNANDFlash提高了2倍以上。

　　通过这次20纳米级64Gb高速NANDFlash的量产，三星电子将主导高速增长中的4G超高速智能手机甚至大容量6.0GbpsSSD市场，今后三星还将适时推出更快的大容量下一代ToggleDDRNANDFlash和解决方案，让消费者能够在更高速的移动设备上尽情体验各种各样的服务。

　　（何苗）