三星电子发布全球首款 量产20纳米级移动存储器

　　日前，三星电子发布，其全球首家批量生产20纳米级（1纳米=10亿分之一米）工艺的4Gb LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）DRAM，旨在全面扩大其4Gb DRAM市场。

　　三星电子为满足消费者的需求，继2012年3月开始批量生产20纳米级8GB DDR3笔记本电脑模块， 4月又开始批量生产20纳米级4Gb LPDDR2 DRAM，从而成了拥有业界最大高端4Gb DRAM生产线的厂商。

　　据了解，20纳米级4Gb DRAM产品群，不仅能够提供全球最为“超薄”、“大容量”、“高性能”的手机解决方案，而且其最小的芯片尺寸，可实现超薄设计。因此，该产品成为了创新企业及手机生产厂商推出的下一代系统时确保其优势的核心要素。

　　三星电子存储器事业部战略营销部洪完勋副社长表示，“2011年三星电子凭借业界首家批量生产30纳米级4Gb DRAM，扩大了4Gb DRAM市场份额。2012年，则通过20纳米级4Gb的批量生产，有望实现进一步差异化高端存储器市场目标。2012年下半年，将继续加大20纳米级DRAM的比重，逐渐把4Gb DRAM提升为主力产品，从而抢占高端市场，进而加强竞争优势。“

　　据市场调查机构IHS iSuppli的预测，从2011年开始4Gb DRAM市场总量的比重逐步扩大，2012年将占到13%， 2013年为49%，直到2014年其生产比重将扩大到63%，成为主力产品。

　　黄文