Micron与NAND Technology 获半导体技术年度大奖

    加利福尼亚州圣荷西 2012-04-19(中国商业电讯)－－加利福尼亚州圣荷西，2012年4月17日(GLOBE NEWSWIRE) -- Intel Corporation (纳斯达克股票代码：INTC) 和Micron Technology, Inc. (纳斯达克股票代码：MU)今日宣布其行业领先的20nm NAND在由UBM TechInsights主办的第十届Insight颁奖大会上荣膺年度半导体技术奖。Insight大奖是对半导体和电子行业杰出成就的表彰，是关于技术创新方面最受器重的奖项之一。参选器件由UBM的专家团队进行分析，根据严格的评审过程进行评选。

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    Intel和Micron通过其IMFT合资开发项目创建了先进的20nm NAND闪存制程技术和产品，这在用户和计算机应用的存储方面是一个新突破。该20nm制程用于大容量、多层次单元 (MLC) NAND闪存器件，该器件目前已能批量生产。他们为智能手机、平板电脑以及固态硬盘(SSD)等计算机解决方案中的音乐、视频、电子书籍和其他数据的保存提供了密集、外型小的存储选项。

    “UBM TechInsights选择对我们联合研发团队在NAND 单元技术上的突破性创新进行表彰，我们深感荣幸”， Micron NAND解决方案集团副总裁Glen Hawk 如是说。“我们与Intel持续努力的工作拓宽了非易失性存储器的新视野，这些工作是使我们的存储技术保持领先地位的重要基础”。

    “Intel-Micron的共同开发已成为本行业联合起来以达到共同目标的极佳典范，这种联合同时还打破了技术封锁以形成创新性的突破”， Intel 副总裁兼非易失性存储器解决方案集团总经理Rob Crooke 说。“对于UBM在鉴证我们制程技术方面所起的作用，以及对Intel-Micron 的20nm NAND制程技术的认可，我们深表感谢。UBM认为：该 20nm NAND制程技术不仅在闪存制程技术方面属于首创，而且在整个半导体设计方面也是翘楚”。

    UBM TechInsights在评判过程中对我们两家公司的20nm MLC NAND闪存器件作了大量分析，包括对器件的晶粒阶段和包装后情况的考察，对制程技术、存储单元的形态和材料的分析。他们的电路分析证明了该Micron/Intel 闪存器件在20nm制程节点的制造上属于首创。他们还注意到：该研发团队采用高k电介质代替传统的硅氧化物门电路以降低单元泄露，同时还能使功耗更低，而这是轻型、便携式应用的必要条件。

    “我们今年已收到关于第十届Insight 大奖的许多参赛品，这使得我们确定各种类型的胜出者时感到非常困难”， UBM营销和产品管理高级副总裁Joel Martin说。“Intel-Micron的参赛品可以说是工程创新，因而得以入选为本年度的最佳半导体产品”。

    欲知关于该颁奖节目的更多信息，请访问： www.ubmtechinsights.com/news-and-events/insight-awards/。

    可在Micron的“创新”播客(视频分享)上看到在圣荷西举行的颁奖实况视频。

    关于Intel

    Intel (纳斯达克股票代码：INTC) 是世界计算机创新的领先公司。该公司设计和创建了各种先进技术作为世界计算机设备的基础。关于Intel 公司更多的信息，请访问newsroom.intel.com以及blogs.intel.com。

    关于Micron Technology, Inc.

    Micron Technology, Inc., 是全球领先的先进半导体解决方案供应商之一。通过它遍布全球的运营，美光为先进的计算、用户、网络、嵌入式和移动产品生产和销售全套DRAM, NAND 和 NOR闪存，以及其他创新的存储器技术、封装方案和半导体系统。美光的普通股在纳斯达克上市交易，代码是MU。欲了解更多有关美光科技公司的信息，请访问www.micron.com.

    Micron Technology, Inc. 徽标位于http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950

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    *Micron和Micron徽标是Micron公司的商标。Intel是Intel公司或其在美国和其它国家子公司的商标。所有其他商标均为各自所有者财产。

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