Micron发布新款低待机功耗系列产品

    爱达荷州博伊西 2012-02-13(中国商业电讯)－－Micron（纳斯达克股票代码：MU）推出新款低功耗DDR3系列产品以延伸其传统存储器领导的地位，该款新产品主要针对超薄型和平板型电脑市场。这些2Gb和4Gb的“DDR3Lm”解决方案着重解决可延长电池寿命的低自刷新功耗 (IDD6) 问题，同时又保证其具有PC DRAM的高性能和高性价比。

    与标准2Gb DDR3L 相比，首款2Gb DDR3Lm将节省高达50％的自刷新功耗，且在需要时其驱动性能可达1600 MT/s 。Micron的 4Gb DDR3Lm产品也具有与2Gb器件同样优异的功耗效率，而芯片数目的减少使其非常适用于超薄型和平板型电脑客户。2Gb和4Gb DDR3Lm均将被Micron的30纳米 (nm)系列 采用以便进一步优化功耗和其它性能，其中4Gb器件在待机模式中的目标是3.7mA IDD6 ，并支持加速至1866 MT/s。

    “在高速成长的超薄型机市场中，功耗的降低日益成为非常重要的问题。Micron在传统PC 机存储器方面的技术使这些市场能达到最高的性能目标、获得最优的性价比”，Micron 公司DRAM 营销副总裁Robert Feurle说。“我们对与客户合作的承诺以及专注于引领DRAM技术的策略已证明是完全成功的，该款30nm DRAM新系列产品将继续履行我们的诺言”。

    “随着计算移动性的日益增强，电池寿命的延长问题对终端用户的价值也日益增高”，Intel 高级存储经理Geof Findley说。“降低低功耗存储器的待机功耗是向正确方向前进的举措”。

    Micron目前已开始提供新款低功耗产品DDR3Lm系列的样品，预计将于2012年2季度开始 30nm系列的批量生产 。欲知关于DDR3Lm更多的信息，请访问http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram。

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